Буферизованная (Registered): нет;
Row Precharge Delay (tRP): 8, RAS to CAS Delay (tRCD)8,
CAS Latency (CL): 8.
Activate to Precharge Delay (tRAS)24,
Напряжение питания - 1.65 В, Дополнительная информация: напряжение питания 1.65-1.8В;
...
Форм-фактор: DIMM 240-контактный, Row Precharge Delay (tRP)9. Тип памятиDDR3.
Напряжение питания: 1.65 В;
Низкопрофильная (Low Profile) - нет,
Пропускная способность12800 Мб/с, CAS Latency (CL): 9;
...
Тактовая частота - 800 МГц.
Буферизованная (Registered): нет;
Напряжение питания1.8 В,
Низкопрофильная (Low Profile) - нет,
Форм-фактор: DIMM 240-контактный. Тип памяти - DDR2;
...
Низкопрофильная (Low Profile) - нет, Объем: 2 модуля по 2 Гб, Буферизованная (Registered)нет,
Activate to Precharge Delay (tRAS) - 18,
Радиатор - есть; Напряжение питания - 1.75 В,
...
CAS Latency (CL) - 9;
Низкопрофильная (Low Profile): нет. Тип памятиDDR3,
Activate to Precharge Delay (tRAS)27; Объем3 модуля по 2 Гб.
Буферизованная (Registered) - нет.
Количество чипов каждого модуля - 16, двусторонняя упаковка;
...
Поддержка ECC: нет.
Форм-факторSODIMM 200-контактный,
Пропускная способность: 5300 Мб/с; Объем1 модуль 512 Мб. CAS Latency (CL): 5,
Тактовая частота: 667 МГц, Низкопрофильная (Low...
Форм-фактор: DIMM 240-контактный.
Поддержка ECC - нет.
Тактовая частота800 МГц.
RAS to CAS Delay (tRCD): 4, Объем - 2 модуля по 1 Гб, Row Precharge Delay (tRP): 4;
Пропускная способность6400 Мб/с.
...
Буферизованная (Registered) - нет;
Форм-фактор - DIMM 240-контактный, CAS Latency (CL)5.
Тактовая частота667 МГц;
Объем1 модуль 1 Гб;
Поддержка ECCнет,
Пропускная сп...
Пропускная способность: 5300 Мб/с,
Поддержка ECCнет; CAS Latency (CL): 5, Буферизованная (Registered): нет; Тактовая частота667 МГц.
Форм-факторDIMM 240-контактный.
Пропускная способность: 5300 Мб/с, Тактовая частота667 МГц,
Поддержка ECC: нет, Низкопрофильная (Low Profile)нет. Тип памяти: DDR2;
Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Напряжение питания...